transistor Mosfet MRFE6VP5600H 600W 50V

  Ces dispositifs à haute robustesse, les MRFE6VP5600H, sont conçus pour une utilisation dans des applications industrielles à VSWR élevé (y compris excitateurs laser et plasma), de diffusion (analogique et numérique), aérospatiales et radio/mobiles terrestres. Leurs conceptions d'entrée et de sortie non adaptées permettent une large utilisation de la plage de fréquences, entre 1,8 et 600 MHz.

Caractéristiques

• Performances typiques : VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA

• • Capable de gérer un désaccord de charge de 65:1 VSWR, @ 50 Vdc, 230 MHz, à tous les angles de phase, conçu pour une robustesse accrue
    • Puissance de crête pulsée 600 Watts, cycle de travail 20 %, 100 µsec
  • Entrée et sortie non adaptées permettant une large utilisation de la plage de fréquences
  • Le dispositif peut être utilisé en simple ou en configuration push-pull
  • Qualifié jusqu'à une tension maximale de 50 V_DD de fonctionnement
  • Caractérisé de 30 V à 50 V pour une plage de puissance étendue
  • Adapté aux applications linéaires avec un polarisation appropriée
  • Protection ESD intégrée avec une plage de tension grille-source négative plus étendue pour un fonctionnement en classe C amélioré
  • Caractérisé par des paramètres d'impédance en grand signal équivalents série
  • Conforme RoHS
  • En bobine et rouleau. Suffixe R6 = 150 unités, largeur de bande 56 mm, rouleau 13 pouces.