Transistor MOSFET MRFE6VP6300H 300W 50V

Modelo: MRFE6VP6300H
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Los MRFE6VP6300H son dispositivos de alta robustez, diseñados para su uso en aplicaciones industriales de alto VSWR (incluidos excitadores láser y de plasma), de radiodifusión (analógica y digital), aeroespaciales y de radio/móvil terrestre. Presentan diseños de entrada y salida sin adaptar que permiten un amplio aprovechamiento del rango de frecuencias, entre 1.8 y 600 MHz.

Características

Rendimiento típico: VDD = 50 Voltios, IDQ = 100 mA

Tipo de señal	Pout (W)	f (MHz)	Gps (dB)	ηD (%)	IRL (dB)
Pulsado (100 µsec, 20% ciclo de trabajo)	300 Pico	230	26.5	74.0	–16
CW	300 Prom.	130	25.0	80.0	–15

Capaz de soportar un desajuste de carga de 65:1 VSWR, a 50 Vdc, 230 MHz, en todos los ángulos de fase
- 300 Vatios de potencia de salida CW
- 300 Vatios de potencia de pico pulsado, ciclo de trabajo 20%, 100 µsec
Capaz de operación CW de 300 Vatios
Entrada y salida sin adaptar que permiten un amplio aprovechamiento del rango de frecuencias
El dispositivo puede usarse de extremo simple o en configuración push-pull
Calificado hasta un máximo de 50 VDD de operación
Caracterizado de 30 V a 50 V para rango de potencia ampliado
Apto para aplicaciones lineales con polarización adecuada
Protección ESD integrada
Mayor rango de tensión puerta-fuente negativa para mejorar la operación en clase C
Caracterizado con parámetros de impedancia de gran señal equivalentes en serie
Conforme a RoHS
NI-780-4 en cinta y carrete. Sufijo R3 = 250 unidades, ancho de cinta 56 mm, carrete de 13 pulgadas.
NI-780S-4 en cinta y carrete. Sufijo R3 = 250 unidades, ancho de cinta 32 mm, carrete de 13 pulgadas.