Transistor MOSFET MRFE6VP5600H 600W 50V

  Estos dispositivos de alta robustez, MRFE6VP5600H, están diseñados para su uso en aplicaciones industriales de alto VSWR (incluidos excitadores láser y de plasma), de radiodifusión (analógica y digital), aeroespaciales y de radio/móvil terrestre. Presentan diseños de entrada y salida sin adaptar que permiten un amplio aprovechamiento del rango de frecuencias, entre 1.8 y 600 MHz.

Características

• Rendimiento típico: VDD = 50 Voltios, IDQ = 100 mA

• • Capaz de soportar un desajuste de carga de 65:1 VSWR, a 50 Vdc, 230 MHz, en todos los ángulos de fase, diseñado para una robustez mejorada
    • 600 Vatios de potencia de pico pulsado, ciclo de trabajo 20%, 100 µsec
  • Entrada y salida sin adaptar que permiten un amplio aprovechamiento del rango de frecuencias
  • El dispositivo puede usarse de extremo simple o en configuración push-pull
  • Calificado hasta un máximo de 50 V_DD de operación
  • Caracterizado de 30 V a 50 V para rango de potencia ampliado
  • Apto para aplicaciones lineales con polarización adecuada
  • Protección ESD integrada con mayor rango de tensión puerta-fuente negativa para mejorar la operación en clase C
  • Caracterizado con parámetros de impedancia de gran señal equivalentes en serie
  • Conforme a RoHS
  • En cinta y carrete. Sufijo R6 = 150 unidades, ancho de cinta 56 mm, carrete de 13 pulgadas.