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Componentes RF

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Transistor MOSFET RD30HVF1 30W

Modelo: RD30HVF1
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DESCRIPCIÓN El RD30HVF1 es un transistor de tipo MOS FET diseñado específicamente para aplicaciones de amplificadores de potencia RF VHF.

CARACTERÍSTICAS
-Alta ganancia de potencia:
-Pout>30W, Gp>14.7dB @Vdd=12.5V,f=175MHz
-Alta eficiencia: 60% típ.

APLICACIÓN
Para la etapa de salida de amplificadores de alta potencia en equipos de radio móvil de banda VHF.