MÓDULO RF MOSFET MITSUBISHI RA30H1721M

DESCRIPCIÓN

El RA30H1721M es un módulo amplificador RF MOSFET de 30 vatios para radios móviles de 12,5 voltios que operan en el rango de 175 a 215 MHz.
La batería puede conectarse directamente al drenaje de los transistores MOSFET de modo realce. Sin tensión de puerta (VGG=0V), solo fluye una pequeña corriente de fuga hacia el drenaje y la señal de entrada RF se atenúa hasta 60 dB. La potencia de salida y la corriente de drenaje aumentan a medida que aumenta la tensión de puerta. Con una tensión de puerta de unos 4V (mínimo), la potencia de salida y la corriente de drenaje aumentan sustancialmente. La potencia de salida nominal está disponible a 4V (típico) y 5V (máximo). A VGG=5V, la corriente de puerta típica es de 1 mA.
Este módulo está diseñado para modulación FM no lineal, pero también puede utilizarse para modulación lineal fijando la corriente de reposo de drenaje con la tensión de puerta y controlando la potencia de salida con la potencia de entrada.

CARACTERÍSTICAS

• Transistores MOSFET de modo realce (IDD≅0  @ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>30W, ηT>40%  @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
• Rango de frecuencias de banda ancha: 175-215 MHz
• Corriente de control de baja potencia IGG=1mA (típ.) a VGG=5V
• Dimensiones del módulo: 66 x 21 x 9,88 mm
• Es posible una operación lineal fijando la corriente de reposo de drenaje con la tensión de puerta y controlando la potencia de salida con la potencia de entrada