Módulo RF RA30H4452M, 440-520 MHz, 30 Vatios, 12.5v para RADIO MÓVIL - Mitsubishi Electric Semiconductor

 

El RA30H4452M es un módulo amplificador RF MOSFET de 30 vatios para radios móviles de 12.5 voltios que operan en el rango de 440 a 520 MHz.

 

La batería se puede conectar directamente al drenaje de los transistores MOSFET de modo realce. Sin tensión de puerta (VGG=0V), solo fluye una pequeña corriente de fuga hacia el drenaje y la señal de entrada RF se atenúa hasta 60 dB. La potencia de salida y la corriente de drenaje aumentan a medida que aumenta la tensión de puerta.

 

Con una tensión de puerta en torno a 4V (mínimo), la potencia de salida y la corriente de drenaje aumentan sustancialmente. La potencia de salida nominal está disponible a 4.5V (típico) y 5V (máximo). A

VGG=5V, la corriente de puerta típica es de 1 mA.

 

Este módulo está diseñado para modulación FM no lineal, pero también puede utilizarse para modulación lineal fijando la corriente de reposo del drenaje con la tensión de puerta y controlando la potencia de salida con

la potencia de entrada.

 

 

• Transistores MOSFET de modo realce (IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)

• Pout>30W, hT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

• Rango de frecuencias de banda ancha: 440-520MHz

• Corriente de control de baja potencia IGG=1mA (típ.) a VGG=5V

• 66 x 21 x 9.8 mm

• Es posible una operación lineal fijando la corriente de reposo del drenaje con la tensión de puerta y controlando la potencia de salida con la potencia de entrada