transistor Mosfet MRFE6VP6300H 300W 50V

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transistor Mosfet MRFE6VP6300H 300W 50V
  • Modèle :MRFE6VP6300H
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Les MRFE6VP6300H sont des dispositifs à haute robustesse, conçus pour une utilisation dans des applications industrielles à VSWR élevé (y compris excitateurs laser et plasma), de diffusion (analogique et numérique), aérospatiales et radio/mobiles terrestres. Leurs conceptions d'entrée et de sortie non adaptées permettent une large utilisation de la plage de fréquences, entre 1,8 et 600 MHz.

Caractéristiques

  • Performances typiques : VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA
Type de signal Pout
(W)
f
(MHz)
Gps
(dB)
ηD
(%)
IRL
(dB)
Pulsed (100 µsec,
20% Duty Cycle)
300 Peak 230 26.5 74.0 –16
CW 300 Avg. 130 25.0 80.0 –15
  • Capable de gérer un désaccord de charge de 65:1 VSWR, @ 50 Vdc, 230 MHz, à tous les angles de phase
    • Puissance de sortie CW 300 Watts
    • Puissance de crête pulsée 300 Watts, cycle de travail 20 %, 100 µsec
  • Capable d'un fonctionnement CW 300 Watts
  • Entrée et sortie non adaptées permettant une large utilisation de la plage de fréquences
  • Le dispositif peut être utilisé en simple ou en configuration push-pull
  • Qualifié jusqu'à un fonctionnement maximal de 50 VDD
  • Caractérisé de 30 V à 50 V pour une plage de puissance étendue
  • Adapté aux applications linéaires avec un polarisation appropriée
  • Protection ESD intégrée
  • Plage de tension grille-source négative plus étendue pour un fonctionnement en classe C amélioré
  • Caractérisé par des paramètres d'impédance en grand signal équivalents série
  • Conforme RoHS
  • NI-780-4 en bobine et rouleau. Suffixe R3 = 250 unités, largeur de bande 56 mm, rouleau 13 pouces.
  • NI-780S-4 en bobine et rouleau. Suffixe R3 = 250 unités, largeur de bande 32 mm, rouleau 13 pouces.

Ce produit a été ajouté à notre catalogue le Wednesday 10 October 2012.

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