Composants RF

Elecsky stocke des composants RF authentiques — les MOSFET RF et modules à transistor au cœur de nos émetteurs FM — pour les monteurs, techniciens de réparation et concepteurs d'amplificateurs. Des composants d'attaque de 6 W aux MOSFET de puissance de 1400 W, chaque pièce est exactement le même composant que celui que nous utilisons en production.

  • Série NXP MRFE6VP — MRFE6VP5150N (150 W / 48 V), MRFE6VP5600H (600 W / 50 V), MRFE6VP6300H (300 W / 50 V), transistors LDMOS robustes pour amplificateurs de diffusion
  • Ampleon BLF188XR — MOSFET RF de puissance 1400 W / 50 V, le cheval de bataille des palettes FM de classe kW
  • Modules RF Mitsubishi — RA30H1721M, RA30H4452M (440–520 MHz, 30 W) et RA60H1317M pour les services radio mobiles
  • Série Mitsubishi RD — RD06HVF1 (6 W, pour CZE-7C), RD15HVF1 (15 W, pour CZE-15A), RD30HVF1 (30 W), transistors MOSFET pour les étages FM de faible puissance
  • Remplacements directs pour les émetteurs Elecsky des séries CZE / FMT — gardez des pièces de rechange sur l'étagère et votre station à l'antenne

Acheter la pièce d'origine exacte est essentiel — les contrefaçons tombent en panne prématurément et entraînent les amplificateurs avec elles. Chaque transistor que nous expédions est approvisionné via des circuits autorisés et testé avant l'emballage. Pas sûr du composant utilisé par votre amplificateur ? Contactez-nous avec le modèle de votre émetteur et nous identifierons le remplacement correct.

(image pour) Module RF RA30H4452M, 440-520 MHz, 30 Watt, 12,5 V pour MOBILE RADIO - Mitsubishi Electric Semiconductor

Module RF RA30H4452M, 440-520 MHz, 30 Watt, 12,5 V pour MOBILE RADIO - Mitsubishi Electric Semiconductor

Module RF RA30H4452M, 440-520 MHz, 30 Watt, 12,5 V, MFR : Mitsubishi Plage de fréquences :  440-520 MHz Vdd :  12,5 V Puissance de sortie...
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(image pour) MRFE6VP5150N Transistor MOSFET 150W 48V

MRFE6VP5150N Transistor MOSFET 150W 48V

MRFE6VP5150N Transistor MOSFET 150W 48V
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(image pour) RA30H1721M MITSUBISHI Module RF MOSFET

RA30H1721M MITSUBISHI Module RF MOSFET

Description Le RA30H1721M est un module amplificateur RF MOSFET de 30 watts pour radios mobiles 12,5 V fonctionnant dans la plage 175 à 215 MHz. La...
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(image pour) RA60H1317M pour radio mobile - Mitsubishi Electric Semiconductor

RA60H1317M pour radio mobile - Mitsubishi Electric Semiconductor

    RA60H1317M1A - Conformité RoHS, 136-174 MHz 60W 12,5V, ampli 2 étages. Pour radio mobile - Mitsubishi Electric Semiconductor   ...
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(image pour) transistor Mosfet MRFE6VP5600H 600W 50V

transistor Mosfet MRFE6VP5600H 600W 50V

  Ces dispositifs à haute robustesse, les MRFE6VP5600H, sont conçus pour une utilisation dans des applications industrielles à VSWR...
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(image pour) transistor Mosfet MRFE6VP6300H 300W 50V

transistor Mosfet MRFE6VP6300H 300W 50V

Les MRFE6VP6300H sont des dispositifs à haute robustesse, conçus pour une utilisation dans des applications industrielles à VSWR élevé (y...
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(image pour) Transistor RF Mosfet haute puissance Ampleon BLF188XR, 1400W 50V

Transistor RF Mosfet haute puissance Ampleon BLF188XR, 1400W 50V

Appareils Ampleon 100 % authentiques, neufs avec code de date 2018.  Puissance nominale 1400W, 50V. Similaire au Freescale MRFE6VP61K25H....
$320.00
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(image pour) RD06HVF1 transistor MOSFET 6w pour CZE-7C

RD06HVF1 transistor MOSFET 6w pour CZE-7C

RD06HVF1 transistor MOSFET 6w pour CZH-5C DESCRIPTION Le RD06HVF1 est un transistor de type MOS FET spécifiquement  conçu pour les...
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(image pour) RD15HVF1 transistor MOSFET 15w pour CZE-15A

RD15HVF1 transistor MOSFET 15w pour CZE-15A

RD15HVF1 transistor MOSFET 15w pour CZH-15A Le RD15HVF1 est un transistor de type MOS FET spécifiquement conçu pour les applications...
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(image pour) RD30HVF1 transistor MOSFET 30Watt

RD30HVF1 transistor MOSFET 30Watt

  DESCRIPTION Le RD30HVF1 est un transistor de type MOS FET spécialement conçu pour les applications d'amplificateurs de puissance RF en VHF....
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