RA60H1317M para RADIO MÓVIL - Mitsubishi Electric Semiconductor

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  • Modelo: RA60H1317M
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RA60H1317M1A - Conformidad RoHS, 136-174MHz 60W 12.5V, amplificador de 2 etapas. Para radio móvil - Mitsubishi Electric Semiconductor

 

DESCRIPCIÓN 
 
El RA60H1317M1A es un módulo amplificador RF MOSFET de 60 vatios para radios móviles de 12.5 voltios que operan en el rango de 136 a 174 MHz. 
La batería puede conectarse directamente al drenaje de los transistores MOSFET de modo de realce. La  potencia de salida y la corriente de drenaje aumentan a medida que aumenta el voltaje de compuerta.  Con un  voltaje de compuerta en torno a 4V (mínimo), la potencia de salida y la corriente de drenaje aumentan sustancialmente. La  potencia nominal de salida está disponible a 4.5V (típico) y 5V (máximo). A VGG=5V, la corriente típica de compuerta es de 1 mA. Este módulo está diseñado para modulación FM no lineal,  pero  también puede usarse para modulación lineal fijando la corriente de reposo de drenaje con el voltaje de compuerta y controlando la potencia de salida 
con la potencia de entrada.
 
CARACTERÍSTICAS 
 
• Transistores MOSFET de modo de realce 
(IDD≅ 0  @ VDD=12.5V, VGG=0V )  
• Pout>60W, η T >45%  @ VDD=12.5V, VGG=5V , Pin=50mW 
• Rango de frecuencia de banda ancha: 136-174MHz 
• Corriente de control de baja potencia IGG=1mA (típ.) a VGG=5V  
• Tamaño del módulo: 67 x 18 x 9.9 mm 
• La operación lineal es posible fijando la corriente de reposo de drenaje con el voltaje de compuerta  y controlando la potencia de salida con la potencia de entrada 
 
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Este producto fue introducido en nuestro catálogo el Thursday 17 January, 2013.

Su dirección IP es: 10.1.58.117
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