RA60H1317M pour radio mobile - Mitsubishi Electric Semiconductor

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RA60H1317M pour radio mobile - Mitsubishi Electric Semiconductor
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RA60H1317M1A - Conformité RoHS, 136-174 MHz 60W 12,5V, ampli 2 étages. Pour radio mobile - Mitsubishi Electric Semiconductor

 

DESCRIPTION  
 
Le RA60H1317M1A est un module amplificateur RF MOSFET de 60 watts pour postes radio mobiles 12,5 volts fonctionnant dans la plage 136 à 174 MHz. 
La batterie peut être connectée directement au drain des transistors MOSFET à mode enrichissement. La puissance de sortie et le courant de drain augmentent avec la tension de grille. Avec une tension de grille d'environ 4V (minimum), la puissance de sortie et le courant de drain augmentent considérablement. La puissance de sortie nominale est disponible à 4,5V (typique) et 5V (maximum). À VGG=5V, le courant de grille typique est de 1 mA. Ce module est conçu pour une modulation FM non linéaire, mais peut également être utilisé pour une modulation linéaire en réglant le courant de repos du drain via la tension de grille et en contrôlant la puissance de sortie 
avec la puissance d'entrée.
 
CARACTÉRISTIQUES  
 
• Transistors MOSFET à mode enrichissement 
(IDD≅ 0  @ VDD=12.5V, VGG=0V )  
• Pout>60W, η T >45%  @ VDD=12.5V, VGG=5V , Pin=50mW 
• Plage de fréquences large bande : 136-174 MHz 
• Courant de commande faible puissance IGG=1mA (typ.) à VGG=5V  
• Dimensions du module : 67 x 18 x 9,9 mm 
• Un fonctionnement linéaire est possible en réglant le courant de repos du drain via la tension de grille et en contrôlant la puissance de sortie via la puissance d'entrée 
 
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Ce produit a été ajouté à notre catalogue le Thursday 17 January 2013.

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